문제 1
다음은 IGBT에 관한 설명이다. 잘못된 것은?
1.
Insulated Gate Bipolar Thyristor의 약자다.
2.
트랜지스터와 MOSFET를 조합한 것이다.
3.
고속 스위칭이 가능하다.
4.
전력용 반도체 소자이다.
💡 로그인하면 학습 진행률이 자동으로 저장되고, 북마크와 오답노트를 사용할 수 있습니다.
이전
다음